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产品信息
1)N-CH MOSFET + PNP transistor
2)package :DFN2*2*0.75(6L)
3) N-MOS: 30V, 2.5A, IPD=10A
4) PNP: VCEb=-25v, IC=-1A,
ò集成N-MOS和PNP三极管。
ò集电极大电流,达0.8A
ò极低集电极-发射极饱和压降
ò穿透电流小。
òDFN2x2小封装,节省PCB空间
ò内阻小,功耗低。
Device
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Vds
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Vgs
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VCB
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Vcesat
@Ic=-800mA,Ib=-80mA
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VCE
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Ice
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Package
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MC2539
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30V
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8V
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-40V
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-0.4V
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-25V
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0.8A
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DFN2X2-6L
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